IBM发现报道

　　今天，2000年诺贝尔科学奖已全部揭晓。一位华裔科学家蒋博士未能获诺贝尔化学奖，而基尔比却独享“集成电路发明人”的胜利果实，这难道不是百年遗憾！

　　一位华裔科学家险些获奖

　　自从1997年朱棣文以“激光冷却原子”技术获得诺贝尔物理奖，1998年崔琦又以“新形式的‘量子流’”问鼎诺贝尔奖，华裔科学家获得诺贝尔奖已不再是什么新鲜事了。今年，一位华裔科学家蒋博士又险些获得诺贝尔化学奖。美国麻省理工科学博士秦禄昌告诉记者：这位华裔科学家蒋博士在二十世纪七十年代曾与今年获得诺贝尔化学奖的美国科学家艾伦·黑格、艾伦·马克迪尔米德以及日本科学家白川秀城等人，共同发现“导电聚合物”。从使他们获奖的三篇主要论文来看，其中有两篇是华裔科学家蒋博士为第一作者，另外一篇更重要的论文共有五位作者，第一作者是艾伦·黑格、第三作者是白川秀城、第五作者是艾伦·马克迪尔米德，他们都是今年的诺贝尔化学奖得主，而身为第二作者的华裔科学家蒋博士却未能在获奖名单上出现。

　　-基尔比“应”拿25万美元

　　美国麻省理工科学博士秦禄昌表示：以“发明集成电路”而成为2000年诺贝尔物理奖50万美元奖金得主的基尔比，有一半功劳要归于诺伊斯。因为集成电路是美国物理学家基尔比和诺伊斯两人各自独立发明的，都拥有该发明的专利权。

　　基尔比在得克萨斯仪器公司进行电子设备微型化的研究时，计划把全部电路元件，包括晶体管、电阻、电容在内，都用同一种半导体材料制成，元件绝缘，没有干扰；元件都焊接在半导体锗片的基片或附近，电路相互连续的地方不出现短路。1958年9月，基尔比的第一个安置在半导体锗片上的电路取得了成功，被称为“相移振荡器”。

　　诺伊斯1957年成立硅谷的第一家专门研制硅晶体管的仙童公司，仙童公司在生产晶体管中首先使用一种平面工艺。平面工艺是把硅表面的氧化层压成一张扁平的薄片，使器件的各电极在同一个平面上。因此，结构无论怎样复杂和精密的晶体管，都可以用这种平面工艺压缩在一片小小的半导体硅片上，平面工艺很快被应用到集成电路的制造上。诺伊斯主持制造出世界上第一块用半导体硅制成的集成电路。

　　1959年2月，基尔比申请了专利。诺伊斯此前已制造出半导体硅片集成电路，但直到1959年7月才申请专利。法庭裁决，集成电路的发明专利属于基尔比，而有关集成电路的内部连接技术专利权属于诺伊斯。两人都是微电子学的创始人，获得美国的“巴伦坦奖章”。也就是说：今年基尔比的诺贝尔物理奖有二分之一应归诺伊斯。

　　-科学家预言纳米技术将出诺贝尔奖

　　10月13日，中国科学院郭院士称：纳米碳管技术将出诺贝尔奖。美国麻省理工科学博士秦禄昌先生认为这种观点有基础。诺贝尔物理奖得主费因曼在题为“微观世界仍有很大发展空间”的讲演中，明确提出了以操纵单个原子分子为手段的纳米技术这一概念，预见性地描述了一个引起革命性变化的全新世界。他举例说，全部二十四卷的大英百科全书可用纳米技术写在一个针尖上！在生物医学领域，通过对DNA分子的操纵，可以从根本上对疾病实行控制等等。秦博士还告诉记者：以发现“富勒烯”而获1996年诺贝尔化学奖的克罗特与斯莫利教授，都早已“转行”，现从事纳米碳管的研究。即使在1996年诺贝尔奖授奖大典上，斯莫利教授的专题演讲已不是使他获奖的富勒烯了，而是在津津乐道地大讲纳米碳管了。纳米碳管技术的魅力可见一斑。本文采写／发现工作室 齐晴

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2000年诺贝尔奖专题

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