Intel 公司在近日举行的第 44 届国际电子设备大会
（ the 44th International Electron Devices Meeting
） 上展示了其 0.18 微米铝工艺， 这种工艺将在明年的
Katmai处理器生产中投入批量使用。Intel 宣称，该工艺
在1.5伏电压下各部分的总延时小于11皮秒， 这是到目前
为止0.18微米铝工艺的最高水平。该工艺的操作电压设定
为1.3至1.5伏。该公司坚持使用铝而不是铜作为导体，至
少暂时如此。 

    Intel 公司选择铝而不用铜为导体，这是因为它采用
了一种氟化硅氧化物SiO2F作为层间绝缘体（inter-level
-dielectric）。通过在硅氧化物中掺入5.5％的氟化物，
可使ILD的k值达到3.55， 低于Intel原先使用的基于SiO2
的ILD的k值。 

    Intel宣称借助使用低k值的层间绝缘体并改变金属导
线的截面比 （高比宽） 以降低窄线时阻抗的办法，使其
0.18 微米工艺比IBM公司的铜工艺更快，而且工艺成本也
低。 

    这种工艺生产的一种测试芯片含有超过1 亿个晶体管
的16-Mbit SRAM，能够以900MHz 的速度运行。这种SDRAM
的每个6－晶体管单元占据5.9平方微米的面积，这说明能
够在处理器内核中以同样方式构造庞大数量的高速缓存。